《表1 半导体桥起爆器起爆试验数据Tab.1 Detonating test data of the semiconductor bridge primer》

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《半导体桥起爆器在固体火箭冲压发动机转级装置中的应用研究》

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采用该起爆装置在常温、低温、高温下进行试验，用9个起爆器进行试验，编号为1#~9#，25、-45℃和60℃3个温度下各使用3个，将起爆电路和半导体桥起爆器放置到保温箱，达到要求的温度后保温2 h，利用上位机模拟飞控系统发送转级指令。根据半导体桥起爆器的起爆条件，记录起爆信号大于15 A所持续的时间，结果见表1。试验中，9个半导体桥起爆器均被成功起爆。可以看出，低温时由于电容下降，充电电荷减少，放电时间相对较短。