《表1 不同折射率下器件传感信号的线宽及品质因数》

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《基于Au/Ce···YIG/TiN结构的磁光表面等离激元共振及折射率传感器研究》

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式中：q为Fano参数；A和B分别为描述背景和总峰高的常数；λ0为Fano共振所处的波长。经过拟合可得器件在n=1.000～1.010RIU范围内的半峰全宽和FoM，如表1所示。同时比较了文献报道中几种SPP[33，40]、LSPR[7，26，40]和MOSPR[31]的优值，从表中可见，所提器件的FoM在n=1.000～1.010RIU范围内均高于150RIU-1，FoM的最大值为2192.4586 RIU-1。但相比文献[7]和文献[39]，该器件的灵敏度稍低，因为结构中激发的纳米盘LSPR模式在介质层一侧。通过调节参数激发纳米盘在空气一侧的LSPR模式，可以解决该问题。