《表1 沉积温度与光纤包层相对负折射率的关系》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《利用VAD工艺制造G.657.A2光纤的研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

为制定合理的预制棒生产工艺参数，本文通过实验研究了沉积温度对有效掺氟量的影响，采用的实验条件是:SiCl4流量为25 g/min，CF4流量为1000 sccm。实验中为了避免其它因素对实验结果产生影响，将其它工艺参数固定不变，仅通过调节氢氧气流量改变沉积温度，并用红外热成像仪测量粉末疏松体火焰位置表面温度。光纤包层中氟的含量是通过测量折射率进行评估的，相对纯SiO2，负折射率越深说明掺氟效果越好，含氟量越多。实验结果如表1所示。