《表3 纯锗芯光纤拉丝中，z=32 mm芯-包层流速值》

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《半导体锗芯光纤拉丝过程中的芯-包层流速差异研究》

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纯锗芯光纤拉制过程中，在预制棒z为30～40 mm之间每隔2 mm作径向的平行切线，取出切线上的芯-包层流速，结果如图6所示。相比石英光纤，纯锗光纤芯-包层流速差异更明显。由于芯区和包层材料不同，在芯-包界面流速曲线有个明显的转变。对比图6(a）～图6(d）中径向切线z=32 mm的芯-包层流速，结果如表3所示。可以看出：相比石英玻璃光纤，纯锗光纤芯-包层流速差异明显增大；芯区流速vco相对变化率随拉丝速度提高而增加。