《表2 石英玻璃光纤拉丝中，z=32 mm芯-包层流速值》

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《半导体锗芯光纤拉丝过程中的芯-包层流速差异研究》

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石英玻璃光纤拉制过程中，在预制棒z为30～40 mm之间每隔2 mm作径向的平行切线，取出切线上的芯-包层流速值，结果如图5所示。芯-包层流速出现差异的位置是z为32～38 mm之间，在z为32～34 mm之间芯-包层流速差最明显，在z=30 mm以下区域芯-包层流速基本一致。对比图5(a）～图5(d）中径向切线z=32 mm的芯-包层流速，结果如表2所示。可以看出：芯层流速vco均大于包层流速vcl，芯层流速vco相对变化率随拉丝速度提高而减小，但相对变化率很小，均在0.5%以内。