《表1 不同包层半径下FBG有效折射率的变化值》
由图可知,由于腐蚀FBG的特殊结构,其波导基模的倏逝场受到周围溶液的影响,neff发生明显变化。在较低折射率区(即1.32~1.36),外部溶液SRI与光纤光栅neff呈近似线性关系;随着SRI的增大,neff也随之增大,二者呈非线性递增关系,且当SRI接近包层折射率n2时,neff变化最为明显。另外,当包层半径b=8.15μm时,基模neff的变化很小,只有10-4数量级的变化;随着包层半径b的减小,neff相对初始有效折射率(neff0=1.446 3)的变化量逐渐增大,b=4.65μm时,neff变化量接近2×10-3。实验仿真得到传感器在SRI在1.32~1.46范围内时,不同包层半径b的灵敏度(Δneff)原始数据如表1所示。
图表编号 | XD0021791700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.08.10 |
作者 | 毛蕊、吴朝霞 |
绘制单位 | 天津机电职业技术学院电气学院、东北大学秦皇岛分校控制工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |