《半导体光检测器》求取 ⇩

第一章雪崩光电二极管物理1

Ⅰ.引言2

Ⅱ.碰撞离化理论3

Ⅲ.雪崩倍增与离化系数的测量69

Ⅳ.高性能雪崩光电二极管和固态光电倍增管109

参考文献149

参考文献176

第二章化合物半导体光电二极管181

Ⅰ.引言182

Ⅱ.化合物半导体光电二极管原理195

Ⅲ.化合物半导体光电二极管特性208

Ⅳ.集成光电二极管器件238

参考文献255

第三章硅和锗雪崩光电二极管260

Ⅰ.引言261

Ⅱ.设计依据262

Ⅲ.硅雪崩光电二极管276

Ⅳ.锗雪崩光电二极管299

Ⅴ.最小可探测功率326

Ⅵ.结论330

参考文献332

第四章用于高比特率长波长光通信系统中的雪崩光探测器接收机的灵敏度336

Ⅰ.引言337

Ⅱ.数字接收机的灵敏度339

Ⅲ.接收机的噪声电流344

Ⅳ.灵敏度计算352

Ⅴ.实例365

Ⅵ.灵敏度降低的原因375

Ⅶ.结语393

参考文献393

Ⅰ.引言396

第五章光通信用的光晶体管396

Ⅱ.增益特性398

Ⅲ.瞬态响应和带宽416

Ⅳ.噪声特性421

Ⅴ.雪崩效应428

Ⅵ.新结构435

Ⅶ.场效应晶体管的光敏性445

Ⅷ.小结449

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