《半导体测量和仪器》

译者说明1

1 晶体取向1

序言2

1.1 晶体学3

1.2 晶体定向10

2 晶体缺陷及其观察24

2.1 点缺陷24

2.2 位错29

2.3 堆垛层错44

2.4 孪晶49

2.5 系属组织51

2.6 晶粒与晶界52

2.7 夹杂物54

2.8 点阵应力与应变56

2.9 表面机械损伤62

2.10 外形缺陷66

2.11 辆照损伤66

3 电阻率及载流子浓度的测量69

3.1 概说70

3.2 基本方法71

3.3 二探针法和四探针法的仪器80

3.4 二探针和四探针测量的误差85

3.5 扩展电阻89

3.6 非接触测量电阻率的方法91

3.7 载流子浓度92

3.8 电阻率分布图97

4.1 引言104

4 寿命104

4.2 光电导衰减106

4.3 其它的注入方法115

4.4 光电导调制115

4.5 光电导116

4.6 表面光电压117

4.7 光电磁(PEM)效应119

4.8 扩散长度的测量120

4.9 漂移123

4.10 其它方法124

5 迁移率、霍尔效应和型号的测量125

5.1 迁移率125

5.2 霍尔效应127

5.3 导电型号141

6 厚度测量146

6.1 引言146

6.2 测微计和其它量具149

6.3 吸收法151

6.4 椭圆仪法152

6.5 干涉效应161

6.6 用干涉法和其它方法测量斜面171

6.7 阶梯高度的测量177

6.8 高倍显微镜用于可见边界178

6.9 差重法178

6.10 结晶学方法179

6.11 测量金属膜的混杂方法180

7 显微镜检验用试样的准备181

7.1 截取181

7.2 化学处理192

7.3 轮廓显示195

8 显微镜的使用和摄影术216

8.1 基础光学216

8.2 光学象的质量221

8.3 专门的光学装置230

8.4 摄影术238

9 电子显微镜和其它分析仪器246

9.1 电子显微镜的一般介绍246

9.2 透射电子显微镜247

9.3 扫描电子显微镜251

9.4 电子衍射256

9.5 X射线259

9.6 电子能谱法265

9.7 光学光谱法269

9.8 质谱法272

9.9 离子背散射274

9.10 放射性方法275

参考文献278