《半导体核粒子探测器和电路》求取 ⇩

目录1

第一章 探测器基本性能1

引言1

探测器性能的基本限制2

半导体探测器电离能的精确测定14

用薄窗硅面垒型探测器测量核碰撞引起的脉冲高度亏损29

半导体探测器中的等离子体效应38

热载流子在硅中漂移速度的实验结果和与之有关的各向异性44

效应44

半导体探测器中的俘获现象51

宽温度范围的Ge（Li）探测器的性能59

半导体探测器的表面噪声83

采用层结构于高电压下工作的锂漂移硅探测器91

第二章 锗95

引言95

关于高纯锗的展望96

锂在锗中的漂移能力101

探测器输出脉冲高度的比较106

多元探测器系统111

大体积高分辨率的Ge（Li）谱仪117

Ge（Li）探测器效率与能量的关系120

Ge（Li）探测器的γ射线谱峰宽度和能量的关系124

第三章 电极接触和特殊结构127

引言127

面垒探测器的窗127

雪崩倍增二极管129

第四章 辐射损伤134

引言134

锗的γ补偿135

核反应实验中锂漂移硅探测器辐射损伤的观察137

第五章 脉冲放大器139

引言139

作信号发生器用的半导体探测器139

前置放大器143

场效应晶体管噪声与温度和频率的关系151

金属－氧化物－半导体型和结型场效应管噪声源159

用于Ge（Li）探测器的脉冲放大器的特性和要求164

第六章 高计数率高分辨率系统174

引言174

在高低计数率下均能提供高分辨率的、配半导体探测器使用175

的多用前置放大器175

高计数率高分辨率Ge（Li）谱仪179

带有各种计数率校正的高分辨率谱仪的重要设计特点192

用于核能谱测量的高分辨率高计数率放大器系统的设计与性能201

关于电流“组合块”的进展报告218

核粒子谱仪的直接耦合脉冲放大和分析系统227

第七章 滤波器237

引言237

高分辨率脉冲幅度谱仪的信号处理方法238

有噪声和重叠涨落时的最佳信号噪声比249

用于脉冲幅度分析器和短时间测量的最佳滤波器260

简单的非线性滤波器262

用转换时间常数和选通积分器降低核粒子谱仪的噪声264

用于高计数率脉冲幅度谱仪的时变滤波器271

用于核脉冲放大器的选通滤波器的信号－噪声比284

应用时间范畴分析和相关技术的脉冲放大器的噪声理论304

取样法快涨落信号的统计分析316

脉冲幅度测量中基线恢复对信－噪比的影响330

第八章 高分辨率γ射线探测系统346

引言346

高分辨率Ge（Li）谱仪系统运用和校准中的问题347

Ge（Li）探测器在γ射线能谱学中的应用：用途和基本考虑361

检验Ge（Li）探测器用的3.85兆电子伏γ射线源381

Ge（Li）双晶体康普顿谱仪385

康普顿抑制谱仪和电子对谱仪388

固体探测器系统中冲击亏损的分析397

高稳定偏置放大器和展宽器系统401

用水银继电器脉冲发生器测量放大器的非线性和增益稳定性408

脉冲幅度谱仪稳定系统的比较421