《金属-绝缘体-半导体微电子学系统的物理基础》求取 ⇩

目录1

第一章 在半导体衬底上生长绝缘膜1

§1 半导体经氧化而形成绝缘膜的方法2

§2 杂质对氧化层性质的影响19

§3 制备绝缘膜的其它方法25

第二章 MIS结构参数的测量方法31

§1 MIS系统的等效电路31

§2 根据电容测量计算表面势和表面陷阱参数的方法33

§3 基于测量横向电导G（MIS阻抗的有功分量）的方法40

§4 研究表面和MIS系统的光电法43

§5 热激现象法51

第三章 绝缘体-半导体系统表面绝缘层结构和电学性质研究57

§1 应用电子衍射法研究表面氧化层58

§2 表面氧化层的光学特性59

§3 氧化物的结构——层状模型69

§4 质谱法研究绝缘层结构72

§5 氧化物结构和化学键的特性74

§6 绝缘层结构和其电学性能的关系77

§7 与氧化物内局域电荷有关的绝缘体-半导体结构的电学性质87

第四章 绝缘体-半导体双层系统界面的晶体结构和电学性质92

§1 半导体-绝缘体结构的三层模型92

§2 绝缘体-半导体系统界面的电学参数101

§3 MIS结构表面沟道散射过程的特点113

第五章 MIS结构中的产生现象和输运过程134

§1 MIS结构参数和非平衡空间电荷区特性的相互关系134

§2 MIS结构中的双极产生过程138

§3 硅MIS结构中双极产生过程的实验研究结果146

§4 MIS结构产生和复合参数的相互关系159

§5 绝缘体内的电荷输运和场产生162

§6 半导体衬底内的场产生170

§7 隧道谱177

§8 厚绝缘层MIS结构中的隧道产生现象［动态隧道效应］182

第六章 光照对MIS系统特性的影响——光电容效应189

§1 MIS系统中的光电容效应理论189

§2 在硅MIS结构内光电容效应的主要规律性205

§3 光电容效应法研究MIS结构中的复合和陷获过程212

§4 具有非稳态耗尽层的MIS结构内的光电现象220

第七章 MIS系统电物理性质的不均匀性及确定不均匀性的方法239

§1 表面电荷不均匀性的统计模型239

§2 具有非均匀分布表面电荷的MIS电容器模型241

§3 确定表面电荷微区不均匀性特征参数的方法242

§4 表面电荷不均匀性影响MIS系统特性的实验数据260

第八章 电荷耦合器件267

§1 电荷耦合器件工作的物理原理267

§2 CCD的工作状态272

§3 电荷损失机理278

§4 CCD器件的工作特点283

§5 不同类型的CCD集成电路285

第九章 MIS和绝缘体-半导体结构的器件和组件294

§1 表面变容器294

§2 MIS和绝缘体-半导体光敏器件309

§3 绝缘栅MIS场效应晶体管316

参考文献329