《金属-缘绝体-半导体微电子学系统的物理基础》

目录1

第一章在半导体衬底上生长绝缘膜1

§1半导体经氧化而形成绝缘膜的方法2

§2杂质对氧化层性质的影响19

§3制备绝缘膜的其它方法25

第二章MIS结构参数的测量方法31

§1 MIS系统的等效电路31

§2根据电容测量计算表面势和表面陷阱参数的方法33

§3基于测量横向电导G（MIS阻抗的有功分量）的方法40

§4研究表面和MIS系统的光电法43

§5热激现象法51

第三章绝缘体－半导体系统表面绝缘层结构和电学性质研究57

§1应用电子衍射法研究表面氧化层58

§2表面氧化层的光学特性59

§3氧化物的结构--层状模型69

§4质谱法研究绝缘层结构72

§5氧化物结构和化学键的特性74

§6绝缘层结构和其电学性能的关系77

§7与氧化物内局域电荷有关的绝缘体－半导体结构的电学性质87

第四章绝缘体－半导体双层系统界面的晶体结构和电学性质92

§1半导体－绝缘体结构的三层模型92

§2绝缘体－半导体系统界面的电学参数101

§3 MIS结构表面沟道散射过程的特点113

第五章MIS结构中的产生现象和输运过程134

§1 MIS结构参数和非平衡空间电荷区特性的相互关系134

§2 MIS结构中的双极产生过程138

§3硅MIS结构中双极产生过程的实验研究结果146

§4 MIS结构产生和复合参数的相互关系159

§5绝缘体内的电荷输运和场产生162

§6半导体衬底内的场产生170

§7隧道谱177

§8厚绝缘层MIS结构中的隧道产生现象[动态隧道效应]182

第六章 光照对MIS系统特性的影响——光电容效应189

§1 MIS系统中的光电容效应理论189

§2在硅MIS结构内光电容效应的主要规律性205

§3光电容效应法研究MIS结构中的复合和陷获过程212

§4具有非稳态耗尽层的MIS结构内的光电现象220

第七章MIS系统电物理性质的不均匀性及确定不均匀性的方法239

§1表面电荷不均匀性的统计模型239

§2具有非均匀分布表面电荷的MIS电容器模型241

§3确定表面电荷微区不均匀性特征参数的方法242

§4表面电荷不均匀性影响MIS系统特性的实验数据260

第八章电荷耦合器件267

§1 电荷耦合器件工作的物理原理267

§2 CCD的工作状态272

§3电荷损失机理278

§4 CCD器件的工作特点283

§5不同类型的CCD集成电路285

第九章MIS和绝缘体－半导体结构的器件和组件294

§1表面变容器294

§2 MIS和绝缘体－半导体光敏器件309

§3绝缘栅MIS场效应晶体管316

参考文献329