《人工物性剪裁 半导体超晶格物理、材料及新器件结构的探索》求取 ⇩

绪论1

1.人工剪裁异质结、量子阱和超晶格结构的生长5

1.1MBE 技术的发展历史5

1.2 MBE 生长原理7

1.3 MBE 设备的基本配置结构8

1.4 MBE 生长的半导体材料类型10

1.5 MBE 生长的几种关键技术11

1.6 几种典型的超晶格、量子阱材料体系及其应用22

1.7 SiGe/Si 异质结、超晶格29

2.一维、零维结构的获得44

2.1 制备一维、零维结构的微加工技术46

2.2 零维、一维结构的 MBE 正直接生长51

2.3 量子点的团簇合成58

3.低维半导体结构的光学性质60

3.1 低维半导体结构的线性光学性质60

3.2 量子霍耳效应的光学探测94

3.3 低维半导体结构的非线性光学性质107

3.4 固体微腔的光学性质116

4.半导体低维结构的输运性质122

4.1 半导体异质结结构中二维电子气的一般输运性质122

4.2 二维系统中的弱局域化现象125

4.3 二维体系在强磁场中的输运性质134

4.4 半导体低维小结构中的输运现象158

4.5 半导体低维结构中的纵向输运191