《薄膜生长理论》求取 ⇩

第一章薄膜通论1

一、薄膜及其特点1

二、薄膜的制备5

三、薄膜的生长过程11

四、气相淀积统一模型18

五、薄膜材料及其应用24

思考与练习一31

第一章参考文献32

第二章薄膜生长理论中的流体力学基础34

一、基本概念34

二、流体质点的变形与连续方程37

三、动量方程41

四、能量方程45

五、可压缩流体的流动48

六、顺流平板附面层问题55

思考与练习二59

第二章参考文献60

第三章传质理论与计算61

一、概述61

二、分子传质63

三、扩散系数66

四、热扩散73

五、对流传质与相间传质80

思考与练习三89

第三章参考文献89

第四章薄膜生长过程中的热计算91

一、传热方式和热导率91

二、发热的计算99

三、传导散热的分折与计算101

四、对流散热的分析与计算111

五、辐射散热的分析与计算122

六、温升与冷却过程分析130

七、激光束对薄膜的热效应分析134

思考与练习四139

第四章参考文献139

第五章化学热力学与反应动力学基础141

一、概述141

二、化学反应中的热效应143

三、薄膜生长过程中的其它热效应151

四、化学平衡及其计算156

五、化学反应速率162

六、化学反应活化能168

七、典型均相反应分析170

八、吸附与脱附177

九、表面反应185

思考与练习五189

第五章参考文献189

第六章热CVD技术与理论191

一、热CVD的反应室结构191

二、晶体硅薄膜的制备技术与理论198

三、非晶硅薄膜生长206

四、陶瓷薄膜的热CVD生长218

五、化合物半导体薄膜与MOCVD228

六、热CVD薄膜的生长理论235

七、甲硅烷热CVD的生长速率模型241

思考与练习六252

第六章参考文献253

第七章等离子体中的碰撞理论256

一、等离子体概述256

二、等离子体中的碰撞问题260

三、电子与中性粒子的碰撞激发269

四、电子碰撞电离275

五、离子与中性粒子的碰撞283

六、等离子体的诊断技术290

思考与练习七297

第七章参考文献298

第八章等离子体的分析与计算300

一、等离子体的描述方法300

二、等离子体的热力学分析304

三、等离子体动力论分析312

四、直流放电鞘层中离子能量分布314

五、射频放电鞘层中离子能量分布321

六、考虑传播角度的离子能量分布328

七、电子能量分布339

八、直流辉光放电宏观参数344

九、射频辉光放电的宏观参数359

思考与练习八368

第八章参考文献368

第九章等离子体淀积技术与理论372

一、反应室结构372

二、离子束淀积技术381

三、a-Si:H薄膜的制备——PFCVD392

四、等离子体淀积中的理论问题400

五、靶中毒的分析与缓解措施409

六、靶中毒的微观分析419

思考与练习九426

第九章参考文献426