《硅片加工工艺学》

第一章 硅材料1

1.1 材料1

1.2 硅的物理特性2

1.3 硅的电学特性4

1.4 加工19

1.5 切片23

1.6 抛光单晶硅片的规格、订购和测定25

第二章 外延淀积32

2.1 外延工艺概述32

2.2 外延淀积用的材料39

2.3 现有的外延淀积系统40

2.4 外延层淀积42

2.5 基座选择和操作45

2.6 外延淀积层的测定48

2.7 安全措施52

2.8 检查及排除故障53

2.9 蓝宝石上的外延淀积55

2.10 介质隔离56

2.11 MOS多晶硅栅58

2.12 低压淀积59

第三章 扩散和氧化62

3.1 引言62

3.2 费克定律62

3.3 高斯分布64

3.4 扩散系数和固溶度64

3.5 典型扩散工艺68

3.6 氧化88

3.7 离子注入105

附录：气体使用说明书112

第四章 光刻127

4.1 引言127

4.2 工艺步骤128

4.3 光刻胶的种类130

4.4 涂胶132

4.5 曝光系统134

4.6 显影/坚膜137

4.7 腐蚀138

4.8 去胶140

第五章 金属化142

5.1 引言142

5.2 金属淀积技术142

5.3 金属化工艺152

5.4 合金化153

第六章 工艺控制155

6.1 引言155

6.2 控制系统155

6.3 器件评价模型化164

6.4 设备校准和维修165

6.5 工艺控制技术169

6.6 探针测试171

6.7 结深测量177

6.8 测量少数载流子寿命178

6.9 扫描电子显微镜179

6.10 MOS工艺所需的工艺控制180

6.11 测试图形概念182

6.12 原材料制备183

6.13 外延材料183

6.14 硅片制备184

6.15 扩散184

6.16 光刻185

第七章 硅技术的前景189

7.1 引言189

7.2 亚微米技术190

参考文献199