《表2 硅对镉胁迫下烟草叶片可变荧光和光化学效率的影响 (1)》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ叶绿素荧光特性的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

注：（1）同列数据后带有不同小写字母者表示0.05水平上的差异显著性。下同。

由表2可知，与CK相比，Cd0.05和Cd0.10处理的可变荧光（Fv）分别降低了4.48%和11.03%，差异显著；Cd0.05处理的最大光化学效率（Fv/Fm）和潜在光化学效率（Fv/Fo）差异不明显，Cd0.10处理的Fv/Fm和Fv/Fo显著降低。表明较低镉浓度处理对烟草叶片光化学效率的影响不明显，而较高镉浓度处理导致烟草叶片光化学效率受到抑制。Fv/Fm在Cd0.05处理时变化不大，但Fv和Fm的变化显著，这可能是由于部分叶绿体超微结构的改变引起的。有研究表明，类囊体发生肿胀、高度破坏，光合合成单位及膜结合电子传递进程也会受到破坏，即使Fv/Fm没有或很小变化，初始荧光参数也会受到叶片结构状态的影响[18]。加硅处理后，Fv较胁迫处理显著增加，Fv/Fm和Fv/Fo在Cd0.05+Si处理时略有上升，在Cd0.10+Si处理时显著增加，这可能是由于加硅处理使叶绿体超微结构变得完整[9]，提高了烟草叶片Mg的含量[19]，使镉胁迫条件下烟草叶片的光合色素含量增加[8]，进而有利于光化学效率的提高。