《表2 施硅对镉胁迫下水稻根系、茎鞘、叶片镉含量的影响》

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《施硅对镉胁迫下水稻镉吸收和转运的调控效应》

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由表2可知，在没有镉胁迫的条件下，由于水稻的富集作用，泰优390各部位中仍有一定量的镉含量。在Cd1（10μg·L-1）镉胁迫下，3种施硅处理相比于未施硅处理对水稻根系和茎鞘中镉含量起到显著降低效果，叶片镉含量降低但是效果不显著。随着水稻生长各部位镉含量呈现先增加后下降的趋势。在Cd2（50μg·L-1）镉胁迫下，施硅能降低各部位中的镉含量，相比于未施硅处理，在3种施硅量中Si3（40 mg·L-1）降低镉效果最好。在镉胁迫30 d时，四种施硅处理对水稻根系、茎鞘、叶片没有显著差异，但均能降低各部位的镉含量，且均与未施硅处理有显著差异。施硅与镉胁迫30 d对水稻根系镉含量交互作用影响极显著（P<0.01），但对茎鞘、叶片交互作用没有显著影响（P>0.05）。随着胁迫时间的增加，在镉胁迫60 d时，各部位镉降低量均高于前30 d处理。根系镉含量在Si2（20mg·L-1）和Si3（40 mg·L-1）两个处理间没有显著差异，但含量有一定的降低。在茎鞘中不同施硅量之间有显著差异。不同施硅处理间在60 d镉胁迫下对水稻叶片镉含量没有显著差异，但随着施用量的增加镉含量也出现降低的规律。施硅与镉胁迫60 d对水稻根系镉含量交互作用影响显著（P<0.05），对茎鞘、叶片交互作用没有显著影响（P>0.05）。在镉胁迫90 d后，各施硅量之间对水稻根系、茎鞘、叶片均没有显著效果，但镉含量均有降低。施硅与镉胁迫90 d对水稻根系镉含量交互作用影响显著（P<0.05），对茎鞘、叶片交互作用影响极显著（P<0.01）。施硅对3种不同浓度镉胁迫下水稻各部位中的镉含量均起到一定程度降低，随着施硅量的增加，效果越好。