《表3 硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ供体侧参数的影响》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ叶绿素荧光特性的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

K相相对可变荧光（Vk）、放氧复合体（OEC）也可以反映PSⅡ供体侧的受损程度[21-22]。由表3可知，与CK相比，Cd0.05和Cd0.10处理的Vk分别增加11.76%和57.55%，OEC分别降低5.10%和23.70%，差异均达到显著水平，表明镉处理使PSⅡ供体侧受到伤害，且随着镉浓度的增加，伤害程度提高。这可能是由于锰簇复合体从放氧复合体上裂解出来[17]，导致水裂解系统受抑制，干扰了PSⅡ上放氧复合体的机能发挥[23]。与不加硅处理相比，Cd0.05+Si处理和Cd0.10+Si处理的Vk分别降低11.39%和28.74%，OEC分别提高5.58%和24.77%，差异达显著水平。这可能是由于硅可以促进植物对Mn的吸收[19，24]。而Mn作为放氧复合体的组成成分[25]，其含量的提高有利于放氧复合体的结构恢复，降低受损程度，使水裂解反应正常进行，从而减轻了镉胁迫对烟草叶片PSⅡ供体侧的伤害。