《表4 对镉胁迫下烟草叶片单位PSⅡ反应中心能量流参数的影响》

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《硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ叶绿素荧光特性的影响》

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由表4可知，镉胁迫下，单位反应中心对光能的吸收（ABS/RC）、捕获（TRo/RC）以及耗散（DIo/RC）增加，与对照相比，Cd0.05处理的ABS/RC、TRo/RC和DIo/RC分别上升4.00%、4.13%和3.01%，差异不明显，而Cd0.10处理的ABS/RC、TRo/RC和DIo/RC分别上升20.35%、19.31%和25.56%，差异达到显著水平。单位反应中心用于电子传递的能量（ETo/RC）在镉胁迫下降低，与对照相比，Cd0.05处理降低了0.44%，差异不明显；Cd0.10处理降低了4.52%，差异达到显著水平。这种变化趋势与孟力力等[27]的试验结果一致，这可能是PSⅡ反应中心发生了可逆失活，形成一个能量陷阱，能够吸收光能，但不能用于推动电子传递[20]。进而也导致单位反应中心用于热耗散的能量（DIo/RC）增加，说明烟草叶片PSⅡ反应中心的防御机制在镉胁迫后启动，以热能和荧光的形式将叶片中剩余的激发能耗散掉，造成烟草叶片对光能的利用率降低。加硅处理后，ABS/RC、TRo/RC和DIo/RC降低，ETo/RC提高。Cd0.05+Si处理下的各参数较Cd0.05处理略有提高，差异不明显；Cd0.10+Si处理较Cd0.10处理的ABS/RC、TRo/RC和DIo/RC分别降低13.78%、12.91%和18.16%，ETo/RC提高3.33%，差异达到显著水平。这表明加硅处理可以提高用于电子传递的能量，减少因热耗散而损失的能量。