《表6 优化前后设计参数及分析结果的比较》

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《基于参数化模型的内冷屏设计优化流程的开发》

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最终，优化前后的设计参数及分析结果的比较在表6给出。设计参数优化后，内冷屏的质量从48.456t降低到47.211t。同时可以看到，尽管等离子体破裂工况下内冷屏的应力有所提高，但仍然满足应力的设计判据。