《表5 绝缘子串高、低场强区域涂覆RTV的污闪电压》
比较仅在绝缘子串高场强区和低场强区涂覆RTV的绝缘子的污闪电压,试验结果见表5,轻污秽条件下,高场强区涂RTV的绝缘子串的污闪电压略高于低场强区涂RTV的绝缘子串,而在重污秽条件下,低场强区涂RTV的污闪电压和高场强区相比略高,但是两者之间并没有明显的差异。这说明这种亲水性憎水性混合分布的绝缘子串表面,其污闪电压主要受憎水性表面所占总泄漏距离的的比例决定,而与其分布关系不大。
图表编号 | XD0088693100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.08.16 |
作者 | 朱立位、曹彬、伏祥运、李红、何玲、梅红伟、王黎明 |
绘制单位 | 国网连云港供电公司、清华大学深圳研究生院、国网连云港供电公司、国网连云港供电公司、国网连云港供电公司、清华大学深圳研究生院、清华大学深圳研究生院 |
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