《表3 污闪试验结果:一种基于电场分布模型提高非合成绝缘子污闪电压的方法探究》

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《一种基于电场分布模型提高非合成绝缘子污闪电压的方法探究》


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金属环片参数r=110 mm,h=38 mm时,试验结果见表3。