《表2 上、下表面不同污秽比的绝缘子污闪电压Table 2 Pollution flashover voltage about contaminant unevenness of top and bo

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《长棒形瓷绝缘子交流污闪特性与污闪电压提高措施》

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取长棒形瓷绝缘子的平均盐密为0.100mg/cm2，灰密为1.00 mg/cm2，伞裙上、下表面污秽比分别按1:1、1:3、1:5进行涂污并试验，试验结果如表2所示。当长棒形瓷绝缘子表面污秽含量一定时，相比于污秽均匀分布，上、下表面污秽不均匀分布的污闪电压更高。文献[15]指出上、下表面不均匀污秽下绝缘子的等效表面电导率γeq与均匀污秽时表面电导率γ1的比值k为