《表1 常见多孔陶瓷制备工艺比较[5–8]》
Si和N元素的低扩散能力[3–4],使得Si3N4陶瓷较难烧结,因此,多孔Si3N4陶瓷的制备方法和很多其它多孔陶瓷(如多孔氧化物陶瓷)的制备方法有较大差异。目前多孔Si3N4陶瓷的成型制备方法主要有:颗粒堆积法、反应烧结法、添加造孔剂法、发泡法、有机泡沫浸渍法和冷冻干燥法等。表1为上述工艺的对比分析[5–8]。由于氮化硅陶瓷硬度高,熔点高,难以进行加工,使用以上方法难以制备得到形状复杂,孔隙率高并且抗弯强度较高的结构陶瓷件。
图表编号 | XD0088661800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.09.01 |
作者 | 温江波、牛敏、苏磊、范星宇、王红洁 |
绘制单位 | 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室、西安交通大学金属材料强度国家重点实验室、西安交通大学金属材料强度国家重点实验室、西安交通大学金属材料强度国家重点实验室、西安交通大学金属材料强度国家重点实验室 |
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