《表9 冷凝成型工艺制备的Y2Si O5多孔陶瓷性能》
采用水基冷凝成型工艺获得的Y2Si O5多孔陶瓷显微结构如图33所示[111]。从图中可以看出,冰晶挥发留下长直通孔,可能由于冷凝温度过低(-198?C)导致长直通孔没有形成树枝状。长直通孔壁上有Y2Si O5颗粒三维堆叠形成的三维网状连通结构。当烧结温度从1250?C增加到1450?C时,孔径由50μm降低到20μm,晶粒大小由1.0μm增加到3.0μm。采用该工艺获得的Y2Si O5多孔陶瓷性能列于表9。随着烧结温度的升高,Y2SiO5多孔陶瓷孔隙率从71%降至62%,收缩率、压缩强度、热导率和介电常数则分别从13.5%增加至20.8%、3.34 MPa增加到16.51 MPa、0.07 W/(m·K)上升到0.22 W/(m·K)和1.89上升到2.22(频率为10 GHz)。可以看出,该Y2SiO5多孔陶瓷强度较高,热导率低,介电常数低,具有作为隔热透波材料的潜力。
图表编号 | XD0044428800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.01 |
作者 | 蔡德龙、陈斐、何凤梅、贾德昌、匡宁、苗蕾、邱海鹏、王洪升、徐念喜、杨治华、于长清、张俊武、张伟儒、周延春 |
绘制单位 | 哈尔滨工业大学特种陶瓷研究所、武汉理工大学材料科学与工程学院、航天材料及工艺研究所、哈尔滨工业大学特种陶瓷研究所、中材科技南京玻璃纤维研究设计院、桂林电子科技大学材料科学与工程学院、中国航空制造技术研究院复材中心、山东工业陶瓷研究设计院、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、哈尔滨工业大学特种陶瓷研究所、航天特种材料及工艺研究所、中国运载火箭研究院、山东工业陶瓷研究设计院、航天材料及工艺研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |