《表3 体系1—4的跃迁能E、电子注入自由能ΔG、基态和激发态染料的氧化电势Edye和Edye*及光吸收效率ηLHE》

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《Lindqvist型多酸螺芴氧杂蒽衍生物电子性质和吸收光谱的理论研究》

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我们计算了体系的跃迁能、电子注入自由能、基态和激发态染料的氧化电势和光吸收效率，结果列于表3．所有体系的电子注入自由能都小于零，表明所有体系都有能力将电子注入到半导体导带．各体系均具有较强的光吸收效率．体系1—4电子注入自由能ΔG增大顺序如下：体系3（-1.56eV）<体系4（-1.46eV）<体系2（-1.17eV）<体系1（-1.02eV），体系3和4的电子注入效率明显高于体系1和2，预测体系3和4有较大的光电转换效率．