《表3 各样品的标度关系的对比》

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《稀土掺杂Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜取向生长回线动力学研究》

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不同取向电畴消耗的能量不同，发生极化翻转所需的外电场值也不同，与外电场方向越接近平行越易翻转。随机取向Bi4Ti3O12铁电薄膜中电畴取向方向分布平均，随着E0值增大，电畴按照对应|cosθ值由大到小（极化翻转由难到易）依次翻转，回线面积随E0变化表现出变化较为平缓。a/b轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜中电畴方向分布不平均，|cosθ|接近1（易翻转）的电畴多，其他方向分布的电畴（翻转随|cosθ|的变小而变得困难）相对较少，因此其随E0变化表现出随电场变大迅速增大，易翻转电畴翻转完成后，难翻转电畴开始翻转，但与随机取向薄膜相比数量要少，因此随E0的增加会更平缓。如图16所示，这在标度关系中的表现就是饱和回线的标度指数中b值大小关系为，随机取向大于a/b轴择优取向。