《表1 等效电路得到热处理后MoSe2/TiO2的参数值》

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《电还原MoSe_2修饰TiO_2纳米管光电化学性能研究》

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不同温度热处理的MoSe2/TiO2线性扫描伏安曲线如图6（a）所示，在扫描电位-0.9～0.6 V范围，样品的光电流密度发生一定的变化，经过300℃热处理的样品略有增大，而270和330℃热处理的样品相对较小。样品的Mott-Schottky曲线如图6（b）所示，Mo Se2/Ti O2在-0.3 V发生了n-p转换，在-0.6～-0.3 V范围，M-S曲线的线性部分斜率为正值，表现出n型半导体特性；在-0.3～0.0 V范围，M-S曲线的线性部分斜率为负值，即表现出p型特性，与暗态I-T曲线中（图6 （c）） 出现负值光电流密度相对应。由图6（c）看出，经270℃热处理后样品中出现负值光电流密度，即表现出p型半导体为主导；而300以及330℃热处理后样品中的光电流密度始终是正值，即其始终表现为n型半导体为主导。图6（d）是异质结的Nyquist谱图和模拟等效电路图，Rb是电解液和电极的体相电阻；Csc和Rsc分别是由电解液和电极表面的钝化反应引起充电状态时的固态界面层的电容和电阻；Cdl和Rct分别是双电层的电容和电荷转移电阻；W是由氧化还原对的扩散阻抗引起的Warburg阻抗。用ZsimWin软件模拟得到参数数值如表1所示。热处理后固态界面电阻Rsc从0.53?/cm2增大到61.67?/cm2，可能是由于热处理后MoSe2与TiO2基底接触界面发生了变化。270和300℃处理后样品的电荷转移电阻Rct减小到305.5和283.9?/cm2，这有利于产生的光生载流子转移到溶液中。另外，由于MoSe2显示出p型半导体的性质，与Ti O2形成异质结，可以有效促进光生电子和空穴的分离。图6（e）为MoSe2/TiO2界面载流子迁移示意图。