《表1 修饰前后材料的结合能和元素比例》

《表1 修饰前后材料的结合能和元素比例》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《IRMOF3的合成后修饰(PSM)及其生物碱吸附研究》


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由表1结合C 1s谱(图2)可知,285.964 eV峰增强(C-N/C-O),原子百分含量为40.05%,AA的修饰增加了样品表面的C-N/C-O比例,说明修饰成功.表1结合O 1s(图2)谱,532.402 eV峰增强(C-OH/C-O-C),原子百分含量为41.40%,同样意味着AA的修饰是成功的[13-15].因此,IR-MOF3-AA的C-N/C-O和C-OH/C-O-C键含量的上升趋势说明IRMOF3-AA修饰成功.