《表2 PEEK在不同温度和场强下的电导率》

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《压接型IGBT器件封装结构中PEEK框架的绝缘特性分析》

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压接型IGBT器件在不同工作环境下的温度变化范围为25～90℃，将文献[18]中测得的PEEK电导率数据总结在表2中，并利用1.2.3中经验模型法分析电导率与温度及电场强度的关系。