《表2 不同温度烧结的CGO与2Mn-CGO样品在700℃时的电导率[3]》

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《掺杂对CeO_2基电解质材料性能的影响研究进展》

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在还原气氛中，对于CeO2基电解质材料，一些Ce4+被还原为Ce3+而发生电子电导。因此，双掺杂能够提高CeO2基电解质的电子电导率。例如，过渡金属氧化物Mn3O4与掺杂了Gd2O3的CeO2的复合（2Mn-CGO）可以增大材料的致密度（如图4所示），同时增大材料的电导率（如表2所示）。此外，向掺杂了Gd2O3的CeO2(CGO）中引入如CoO、CuO、Fe2O3等过渡金属氧化物，可以将其致密化温度降低到900～1 000℃，大幅度降低CGO的烧结温度[3]。