《表1 煅烧温度1 000℃粉体热压烧结样品电导率表》

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《合成温度对NASICON晶型结构和电导率的影响》

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图5所示为两种粉体热压烧结所得NASICON样品的阻抗谱（采用图5(a）中等效电路，通过Z-view软件拟合得到等效电阻)。使用公式σ=d/RS（d为样品厚度，R等效电阻，S为样品的面积）计算得到如表1和表2所示的煅烧温度1 000℃和900℃粉体热压烧结样品室温电导率表。