《表1 不同温度下热压烧结样品的离子电导率》

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《热压烧结制备Mg稳定Na-β\"-Al_2O_3电解质陶瓷及其性能》

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图5为不同温度条件下热压烧结所得Mg稳定β\""-Al2O3陶瓷片在室温下所测的交流阻抗谱。交流阻抗谱主要是由高频区的圆弧和低频区倾斜的直线组成，高频区的圆弧是由晶体电阻和晶界电阻所控制的，低频区的直线是由离子的扩散所控制。Mg稳定的β\""-Al2O3固体电解质的等效电路如图5中小图所示，R1和R2分别代表晶体电阻和晶界电阻，其大小由阻抗谱的拟合电路图得到。拟合曲线和电阻由Z-view软件计算得到，按照公式（σ=L/SR）计算离子电导率[15]，L代表样品的厚度，S代表样品的表面积，R为R1和R2之和。离子电导率结果如表1所示。从表1可以看出，随着烧结温度的升高，样品的电导率先增加后降低。结合图3和图4，我们可以判断，陶瓷样品中的β\""-Al2O3相对含量与致密度共同影响着离子电导率。尽管在1 450℃条件下烧结样品的致密度不是最高，但因其具有较高的β\""-Al2O3相含量，导致其较其它样品相比具有最高的室温离子电导率。