《表1 900℃时Gd、Sm不同掺杂比例的CeO2基电解质的电导率[10]》

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《掺杂对CeO_2基电解质材料性能的影响研究进展》

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近年来，关于稀土金属元素与稀土金属元素双掺杂的研究中有很多是关于钆（Gd）和钐（Sm）的双掺杂研究。比如赵永旺[10]研究了氧化钐和氧化钆对氧化铈的掺杂，由于Sm3+、Gd3+离子半径接近Ce4+离子半径，所以Gd和Sm双掺杂的CeO2基电解质具有较低的电导活化能，Gd和Sm对CeO2双掺杂比Sm单掺杂的电导率要高很多，其中（CeO2)0.8（Sm2O3）0.02（Gd2O3）0.08的电导率最高（如表1所示）。周德凤等[7]制备了钐（Sm）、镨（Pr）掺杂CeO2基固体电解质和CeMoO15基固体电解质，发现元素Mo可以增加材料的晶粒尺寸，使晶界相成分减少，增大了材料在低温环境下的电导率；周晓婷等[8]研究了Pr掺杂Ce4.5Gd1.5MoO15-δ材料的导电性能，发现元素Pr可以降低晶界电阻，降低体系的电导活化能，提高材料的总电导率（如图3所示）。