《表1 样品的XRD图谱分析》

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《硼掺杂石墨相氮化碳及其光催化性能研究》

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从图1中可以看出，制备的纯g-C3N4在13.06°和27.68°处有两个明显的特征衍射峰，与其标准PDF卡片（JCPDS 87-1526）一致。其中13.06°处的衍射峰为melon类物质的特征峰，对应3-S三嗪结构中氮孔之间的距离，晶面指数标记为（100）；位于27.68°处的衍射峰为芳香物的层间堆积特征峰，对应于产物具有类石墨相的层状结构，晶面指数标记为（002），这些均与文献中的报道一致[15]。对比发现，制备的掺杂样品与纯g-C3N4在（002）晶面衍射峰的位置基本一致，说明掺硼后样品的晶体结构基本没有改变，仍然为类石墨相层状结构，后面TEM结果也说明了这一点。同时发现，硼含量越高，掺杂样品在（100）和（002）晶面处衍射峰的强度越弱，说明硼的引入会抑制g-C3N4的晶粒生长，与表1中掺杂样品的（002）面法向晶粒尺寸均小于g-C3N4的结果一致。