《表2 不同烧结时间NiCuZn铁氧体的Bs、Br、Hc和Pcv》
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《烧结时间对Ni_(0.26)Cu_(0.16)Zn_(0.58)O(Fe_2O_3)_(0.985)铁氧体微结构及磁性能的影响》
表2为对应不同保温时间样品在1 kHz、1600A/m条件下的饱和磁感应强度(Bs)、剩余磁感应强度(Br)和矫顽力(Hc)以及在50 kHz、150 mT、常温条件下的功率损耗(Pcv)。从表中可以看出,饱和磁感应强度Bs随着保温时间延长而逐渐增大,饱和磁化强度Ms高则饱和磁感应强度高,所以Bs取决于铁氧体各成分占比和密度,在各成分占比不变的情况下,烧结密度随着烧结时间的延长Ms逐渐增大,故Bs逐渐增大。材料矫顽力随着烧结保温时间的延长逐渐降低,而剩余磁感应强度先增大后逐渐降低。Hc的降低可能是由于单畴晶粒不可逆转动的临界场(对立方晶系)为H0=(4/3)(|K1|/?0Ms) ,即有Hc与Ms成反比的关系。因此随着保温时间延长和密度的增加,Ms增大,Hc降低。同时可以看出材料的功率损耗与矫顽力变化一致,材料的功率损耗包括涡流损耗、磁滞损耗和剩余损耗,涡流损耗由于NiCuZn铁氧体的电阻率高而可忽略,在频率为50 kHz条件下,磁滞损耗起主导作用[12]。故随着保温时间延长,晶粒尺寸增大,矫顽力降低,磁滞损耗降低,Pcv逐渐减小[13]。
图表编号 | XD0054356600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.07.01 |
作者 | 梁迪飞、刘天民、邓龙江、李维佳、王昕 |
绘制单位 | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
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