《表1 纳米划刻实验参数》

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《基于纳米划刻实验的单晶锗切削机理》


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本实验采用合肥科晶公司生产的高纯度单晶锗切片,通过单面化学抛光法加工制备,其表面粗糙度(RMS)小于50 nm,选取抛光后的(100)晶面作为实验面,工件尺寸为10 mm×10 mm×0.5 mm。纳米划刻实验在Nano indenter G200纳米压痕仪上进行。选用正三棱锥形Berkovich金刚石压头,压头尖端曲率半径为50 nm,其几何形状可以在较小的范围内保持自相关,因此适用于本实验。对于单晶锗工件进行划刻实验,选取的实验参数如表1所示。