《表1 纳米划刻实验参数》
本实验采用合肥科晶公司生产的高纯度单晶锗切片,通过单面化学抛光法加工制备,其表面粗糙度(RMS)小于50 nm,选取抛光后的(100)晶面作为实验面,工件尺寸为10 mm×10 mm×0.5 mm。纳米划刻实验在Nano indenter G200纳米压痕仪上进行。选用正三棱锥形Berkovich金刚石压头,压头尖端曲率半径为50 nm,其几何形状可以在较小的范围内保持自相关,因此适用于本实验。对于单晶锗工件进行划刻实验,选取的实验参数如表1所示。
图表编号 | XD0053613800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.08.01 |
作者 | 耿瑞文、杨晓京、谢启明、李芮、罗良 |
绘制单位 | 昆明理工大学机电工程学院、昆明理工大学机电工程学院、云南北方驰宏光电有限公司、昆明理工大学环境科学与工程学院、昆明理工大学机电工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |