《表1 纳米划刻实验参数：基于纳米划刻实验的单晶锗表面变形机制研究》

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《基于纳米划刻实验的单晶锗表面变形机制研究》

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纳米划刻实验均在Nano indenter G200划刻仪上进行，同时采用Scratch with lateral force系统对实验过程中划刻力及划刻位移进行实时测量。本实验采用标准三棱锥形Cube压头，其尖端曲率半径为20 nm，压头中心线与每个面夹角均为34.27°，各个棱边间相互垂直，纳米划痕仪装置如图1(a）所示。为了使划刻过程平稳，采取楞朝前方式划刻，切屑将均布于压头两侧，实验参数如表1所示。通过扫描电子显微镜（scanning electron microscope，SEM）观察划痕沟槽的表面形貌特征。