《表3 对应图7交流阻抗谱的拟合参数》

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《Cu-SiO_2复合薄膜的电化学过程》

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ITO电极在3种复合溶胶中于不同电位下的交流阻抗（Nyquist）谱如图7。从图7可以看到:所有沉积电位下的Nyquist谱在高频段（105～103Hz）都存在1个不完整的圆弧。张俊颉等[20]曾利用不同阻抗的ITO电极进行对比试验，证明高频率的圆弧为ITO薄层的容抗。用图8a所示的电路拟合Sol 1和Sol 2在-0.4 V的Nyquist谱，其他电位下的Nyquist谱用图8b所示的电路拟合。拟合参数如表3。其中Rs代表溶液电阻，Rf代表ITO电极薄层的电阻，C为ITO薄层的电容，Rr为反应电阻，Q和n为双电层充电的CPE元件，W代表Cu（Ⅱ）扩散过程的浓差阻抗。拟合曲线见图7的实线，可以看到拟合曲线跟试验曲线很好地吻合，说明该等效电路可以较好地模拟本次试验的电化学过程。