《表1 I-V测试数据表》
对器件做具体的光电性能测试并分析相应的参数特性,发现用MABr预处理得到的电池器件可以获得较高的指标。表1是具体的J-V测试数据,对比器件的平均效率,MABr处理器件相较基础器件,从14.58%提高到了15.97%,短路电流从23.93mA/cm2提升到了24.69mA/cm2,开路电压从1.02V提升到1.06V,填充因子FF从61.76%提升到了66.62%,各个参数均有提升。图5是器件效率分布柱形图,可以看到基础器件的转化效率(η)较低,主要集中在13%~14%区间,不同的是预处理器件有更好的表现。MAI处理器件平均效率为15.26%,并且主要集中于15%~16%区间。MABr处理器件平均效率为15.97%,主要集中于14%~15%以及15%~16%区间。PbI2处理器件的结果与MAI类似,平均效率为15.47%,并且主要集中于14%~15%区间。可以得出的结论是MABr预处理能够提升器件水平,原因是Br的引入改善了薄膜结晶和形貌,从而提升了短路电流、开路电压和填充因子等参数,器件整体性能提升。
图表编号 | XD0051417800 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.08.01 |
作者 | 龚文文、侯延冰 |
绘制单位 | 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室、北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |