《表1 不同温场分布与外延炉温度关系》

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《基于离子注入片的单片外延炉温度研究》

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由图3可知前面、侧面和后面温区加热灯管相互重叠，而且硅片在淀积时基座不停自转，因此实际生产调整OFFSET参数时，将前面、侧面和后面温区作为一个整体，称为边缘温区同步调整。规定边缘温区和中间温区的温度偏差为△T（△T=Tedge-Tcenter），设计△T分别为-10℃、-5℃、0、+5℃、+10℃5组实验条件，对比不同温场条件下外延炉温度变化情况，结果如表1所示。