《表1 进行测量的四种SiGe HBT》
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《不同尺寸SiGe HBT Gummel图的参数提取》
出于基区SiGe材料生长质量好坏判断的目的,选择同一硅片上四种不同尺寸的HBT进行测量(直流和交流测量),为两种正常尺寸(TA3,TA4)和两种大尺寸(TE1a和TE1),具体如表1所示。
图表编号 | XD0043143500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.01 |
作者 | 李垚 |
绘制单位 | 中国科学技术大学电子科学与技术系 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |