《表1 退火态Cu1+xAl1-xO2薄膜的织构系数、平均可见光透过率、厚度与直接带隙宽度拟合值》

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《Cu过量对Cu_(1+x)Al_(1-x)O_2(0≤x≤0.04)薄膜结构与光电性能的影响》

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式中，TChkl为（hkl）晶面的织构系数，Ihkl和IOhkl分别为薄膜样品和标准粉末样品（JCPDS 35-1401）（hkl） 晶面对应的衍射峰强度，n为计算所取衍射峰的数量，计算了Cu1+xAl1-xO2薄膜（006）、（101）和（012）晶面的织构系数，结果列于表1中。TChkl值越大，表明薄膜在该晶面的择优取向越明显[18]。由表1中Cu1+xAl1-xO2薄膜的TC006、TC101和TC012值可以看出，退火态薄膜中存在明显的c轴择优取向[7，19]。