《表2 薄膜的晶格常数：NiFe_2O_4/(0.8BaTiO_3-0.2Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3)异质结层状复合薄膜的磁电性能》

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《NiFe_2O_4/(0.8BaTiO_3-0.2Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3)异质结层状复合薄膜的磁电性能》

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△c=c-c*，where c*is the lattice constants of the bulk single crystal.

图1（a）为单相铁电、铁磁薄膜以及磁电复合薄膜的XRD衍射图谱。在XRD谱中没有发现杂相，且只有（00l）峰出现，这表明NFO/BT-NBT异质结磁电复合薄膜是沿c轴择优取向生长[14]。表2中展示了根据XRD计算得到的晶格常数。对于铁电相BT-NBT而言，在NFO/BT-NBT/SRO/STO复合薄膜中由于来自底层SRO和顶层NFO相的应力，从而导致BT-NBT相在NFO/BT-NBT/SRO/STO复合薄膜中的晶格畸变（-0.20%）大于在BT-NBT/SRO/STO单相铁电薄膜中的晶格畸变（-0.15%）和BT-NBT/NFO/SRO/STO中的晶格畸变（0.05%）。对于NFO铁磁相而言，在单相NFO/SRO/STO薄膜中的晶格畸变（-0.12%）介于NFO/BT-NBT/SRO/STO复合薄膜中晶格畸变（-0.04%）和BT-NBT/NFO/SRO/STO复合薄膜中的晶格畸变（-0.17%）之间。NFO/BT-NBT/SRO/STO复合薄膜中晶格畸变仅为-0.04%，这说明NFO受到的压应力几乎被完全释放，这是由于BT-NBT层在NFO/BT-NBT/SRO/STO异质结中起到了缓冲作用，减弱了来自于衬底的约束作用。这有利于在NFO/BT-NBT/SRO/STO异质结磁电复合薄膜中观察到较强的磁电耦合效应。