《表1 Bi1.5-xNaxZn Nb1.5O7陶瓷的电阻率和致密度》

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《钠掺杂对Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7陶瓷结构和介电弛豫的影响》

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图1为Bi1.5-xNaxZnNb1.5O7陶瓷样品烧结温度与烧结密度之间的关系图:没有掺杂的α-BZN样品一般在1050℃左右[6]烧结成瓷，掺杂后BNZN样品能够在1000℃致密成瓷，Na2CO3的掺杂能略减小烧结温度，而Na2CO3的熔点（851℃）略高于Bi2O3的熔点（825℃），根据掺杂缺陷方程[4]可知，低价钠置换高价铋会产生有效的氧空位来补偿电荷平衡，由表1电阻率的降低正好说明氧空位存在，由于氧空位具有迁移能力，加速了颗粒的扩散能力，略降低了烧结温度。在1000℃下，表1样品致密度随钠的掺杂量先增大后减小，其中先增大的原因是:氧空位存在能有效增加单位体积内质点的扩散系数，从而提高了样品致密度。当x=0.4时样品的致密度减小，是由于原子量Na（22.99）比Bi（209）的小，掺杂替代后陶瓷密度必然逐渐下降，导致了致密度的减小，此时电阻率升高正好与之相吻合。