《表3 CBNCo陶瓷低温和高温下的电导激活能以及500℃时的电阻率表Table 3 Activation energy at low temperature and high temperature

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Co掺杂对CaBi_2Nb_2O_9陶瓷结构和电学性能的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

式中:A是指前因子；E为电导激活能（Ea是载流子在200~350℃拟合的低温电导激活能；Eb是载流子在350~600℃拟合的高温电导激活能）；k是玻尔兹曼常数；T是绝对温度；ρ是电阻率。表3依照Arrhenius公式（1），对图7中的实验数据线性拟合，得出激活能Ea，Eb。如表3所示，所有样品高温下的电子激活能均大于低温下的电子激活能，表明CBN系列陶瓷在低温和高温下的导电机制有所不同。物体的高温导电机制主要是本征导电，而低温时缺陷和杂质对激活能影响较大。Eb-Ea随着Co含量的增加而增加，因为Co离子的价态小于Nb离子，随着Co掺杂量增加，材料为了保持电中性，会引入更多氧空位参与导电，使低温电导激活能与高温电导激活能差距增大。在CBNCo陶瓷未检测出杂相时（x≤0.03），电导激活能随着Co含量增加逐渐减小。当CBNCo陶瓷产生杂相后（x=0.05），电导激活能上升，这是由于Co2O3过量，加热后（约895℃）会分解为CoO，CoO可以抑制熔点较低的Bi2O3挥发[25]，减少了CBN陶瓷的晶格缺陷，提高了CBNCo陶瓷的电阻率。由于Bi2O3的挥发减少，在高温下（500℃）电阻率ρ随着Co含量增加而增大；由于引入了更多氧空位，在300℃以下（图7）未产生杂相的CBNCo陶瓷的电阻率随着Co含量增加而减小。