《表1 不同粒径搭配下的PZT陶瓷的密度与致密度》

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《PZT陶瓷冷烧结工艺的优化与压电性能研究》

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由图7（a）可见，随着频率从100 Hz升高至1 MHz，相对介电常数在整个频率范围内呈下降趋势，这是PZT陶瓷的电介质弛豫极化引起的，由于内部转向极化建立时间较长，当外电场频率增加，电畴翻转来跟不上电场变化而产生极化滞后现象。当频率为1 k Hz时，样品1，2，3的相对介电常数分别为57.7，66.8和62.8。由图7（b）可知：当频率为1 k Hz时，样品1，2，3的介电损耗分别为0.339，0.288和0.313。样品2的致密度最高，因而表现出最优的介电性能。