《表2 几种典型的压电陶瓷、复合材料的性能及其制备温度对比》

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《PZT陶瓷冷烧结工艺的优化与压电性能研究》

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注：TS表示传统烧结工艺（traditional sintering）；SC表示溶液浇注法（solution casting）；PC表示压制固化工艺（pressing and curing）；CP表示冷压工艺（cold pressing）；HA-CS表示水热辅助冷烧结工艺（hydrothermal assisted cold sintering）；CS表示冷烧结工艺（cold sintering）。

此外，表2所示为几种典型的压电陶瓷、复合材料的性能及其制备温度。例如，常见的KNN（K0.5Na0.5Nb O3），NBT（Na0.5Bi0.5Ti O3），PZT基陶瓷压电系数d33可高达100～400 p C/N，但制备工艺往往是基于1 000℃以上的烧结温度。PZT-PDMS（聚二甲基硅氧烷）和PZT-PVDF（聚偏氟乙烯）等陶瓷-聚合物复合材料可以在低温110～150℃下制备，但由于低压电性能聚合物的加入，复合材料整体获得的压电系数d33较低（20～30 p C/N）。PZT-PC（portland cement硅酸盐水泥）等无机复合物进一步降低制备温度至60～65℃，压电系数d33维持在25～55 p C/N。与以上几种压电材料的制备条件及获得的压电性能对比发现本文采用的冷烧结工艺获得的PZT陶瓷表现了明显的优异性，不仅完全实现了室温制备工艺，同时获得相对较高的压电系数d33为71 p C/N，为低温化制造新型高性能压电陶瓷及传感器件提供了广阔的应用潜力。