《表2 基于肖克莱解析模型拟合得到的相关参数》
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表2为基于肖克莱解析模型拟合得到的参数以及与Rothman的结果对比.可以清楚地看到，本文所研制的HgCdTe APD器件无论耗尽区宽窄，拟合获得的相关参数均与Rothman的结果相似，表明器件技术水平已达到较佳的状态.
| 图表编号 | XD0034302800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.04.01 |
| 作者 | 李雄军、韩福忠、李立华、李东升、胡彦博、杨登泉、杨超伟、孔金丞、舒恂、庄继胜、赵俊 |
| 绘制单位 | 昆明物理研究所、昆明物理研究所、昆明物理研究所、昆明物理研究所、昆明物理研究所、昆明物理研究所、昆明物理研究所、昆明物理研究所、昆明物理研究所、昆明物理研究所、昆明物理研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
