《表6 稳态场仿真结果及修正系数》

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《基于GTEM的局部放电UHF标定的场强溯源研究》

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从图12可知，25 V脉冲对应的仿真电场强度峰值为350 V/m，大于实验电场强度117 V/m，这是由于在真实测量中GTEM室接头由圆同轴线和矩形同轴线两部分组成且其结构复杂[24]，在测量过程中会对注入信号造成一定的功率衰减。而在仿真过程中，则将激励通过GTEM前端口注入小室内部，对注入信号几乎没有衰减。为了对这一结果进行矫正，选择对400 MHz及2.1 GHz两个频率的正弦信号通过同一个GTEM模型进行仿真，并与扫频电场测试实验中Narda场强计的测试结果进行比对，得到修正系数（仿真结果与实测结果的比值），并用此修正系数对脉冲场强仿真结果进行修正。400 MHz及2.1 GHz正弦稳态场仿真激励及结果见图13，其中激励信号与实验中网分注入的信号相同，仿真结果统计及修正系数见表6。表6中可以看出，400 MHz及2.1 GHz仿真所得修正系数分别为2.92和3.16，取其平均值3.04作为脉冲场强的修正系数，脉冲场强仿真峰值为350 V/m，那么修正后的仿真结果为115 V/m，实测结果为117，误差1.7%。修正后的电场仿真结果与实测结果见图14。从图14中可以看出，无论是波形还是幅值两者都十分接近，说明了单极探针测试脉冲场强的准确性。