《表1 不同温度和激发能级差下谱线强度比值》
图1(a)是ΔE和T对谱线强度比影响图,由式(4)模拟得到,纵坐标取对数,随着ΔE变大,谱线强度比呈上升趋势;在ΔE=2eV,T=3 000K时,谱线强度比最大;图1(b)是ΔE对谱线强度比相对波动影响图,由式(5)模拟得到,纵坐标取对数,变化趋势与图1(a)一致,在|ΔE|=2eV,T=3 000K时,谱线强度比相对波动对ΔE最为敏感;ΔE趋近于零时,谱线强度比相对波动变小;图1(c)是T对谱线强度比相对波动影响图,由式(6)模拟得到,同样在ΔE=2eV,T=3 000K时,谱线强度比相对波动对T最为敏感;T对谱线强度比相对波动影响变化不大,整体趋势平稳。在不同的ΔE和T下具体的谱线强度比相对波动如表1所示,左列是在T=10 000K时,ΔE对谱线强度比相对波动的影响,相对波动在100量级,谱线强度比相对波动的分布关于ΔE不对称,在ΔE<0时,其相对波动比ΔE>0时小,因此理论上优先选择ΔE<0的谱线对;右列是在ΔE=-2eV时,T对谱线强度比相对波动的影响,相对波动在10-5量级,几乎没有波动。整体上,在-2eV<ΔE<2eV时,T对谱线强度比相对波动影响变化不大,可以忽略,因此在下面实验中对T将不做具体讨论;相比于T,ΔE对谱线强度比相对波动的影响相差5个量级,ΔE趋近于零时,谱线强度比相对波动越小,并且在ΔE<0时其相对波动比ΔE>0时小。
图表编号 | XD0032182800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.01 |
作者 | 刘洋、赵天卓、余锦、付杰、连富强、孙思宁、樊仲维 |
绘制单位 | 中国科学院光电研究院、中国科学院大学、中国科学院光电研究院、中国科学院光电研究院、中国科学院光电研究院、中国科学院大学、中国科学院光电研究院、北京国科世纪激光技术有限公司、中国科学院光电研究院 |
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